一、引言

半导体制造对测量精度的要求随着制程升级不断提升，传统测量装备已难以满足 7nm 及以下制程的检测需求。长期以来，国外企业主导高端半导体测量装备市场，其技术标准成为行业默认基准。新启航通过技术创新实现精度突破，推动国产装备从跟跑向领跑转变，为定义半导体测量新基准提供可能。

二、核心技术突破：精度革命的根基

2.1 高精度光学系统创新

新启航研发出超分辨激光干涉光学系统，采用飞秒激光光源与非球面衍射透镜组合，通过优化光路消像差设计，将光学分辨率提升至 0.05μm。同时，引入自适应光学技术，实时补偿环境振动与温度变化对光路的影响，确保测量稳定性，光学系统误差控制在 ±0.01nm 以内。

2.2 智能化算法与数据处理

基于深度学习构建测量模型，通过百万级半导体晶圆缺陷样本训练，算法可自动识别测量环境中的干扰因素并进行动态修正。开发出三维形貌快速重构算法，将数据处理时间缩短至传统方法的 1/5，同时实现亚纳米级测量重复性（3σ≤0.03nm），突破传统算法的精度瓶颈。

三、性能指标的跨越式提升

3.1 关键参数对标与超越

新启航半导体测量装备在核心指标上实现突破：测量范围覆盖 1mm×1mm 至 10mm×10mm，横向分辨率达 0.01μm，纵向分辨率达 0.005nm，较国际主流设备提升 3 倍。在 3D 形貌测量中，平面度测量误差≤0.1nm/10mm，优于传统设备的 0.5nm/10mm 指标，建立起更高的精度标准。

3.2 动态测量能力革新

针对半导体晶圆高速生产场景，开发动态跟踪测量技术，实现对移动速率达 1m/s 的晶圆进行实时测量，测量响应时间≤1ms，解决传统设备在动态场景下精度下降的问题，为高速生产线提供精准检测支持。

四、应用场景的基准验证

4.1 先进制程工艺适配

在 7nm FinFET 制程晶圆检测中，新启航装备可精准测量鳍片高度（误差≤0.3nm）与栅极宽度（误差≤0.5nm），数据一致性较进口设备提升 20%。通过与中芯国际、长江存储等企业合作验证，其测量结果成为工艺优化的基准参考数据。

4.2 新材料测量标准建立

针对第三代半导体材料（如 SiC、GaN）的异质结界面检测，开发专用测量模块，实现对界面粗糙度（Ra≤0.02nm）的精准表征，填补国内相关测量标准的空白，被纳入行业检测规范。

五、国产化供应链的支撑

新启航联合国内光学企业开发出超精密光栅尺（精度 0.01μm）与压电驱动平台（定位误差≤0.5nm），实现核心部件国产化率 100%。通过建立全链条质量管控体系，确保零部件一致性，为装备长期稳定运行提供保障，支撑其测量基准的权威性。 

大视野 3D 白光干涉仪：纳米级测量全域解决方案

突破传统局限，定义测量新范式！大视野 3D 白光干涉仪凭借创新技术，一机解锁纳米级全场景测量，重新诠释精密测量的高效精密。

三大核心技术革新

1）智能操作革命：告别传统白光干涉仪复杂操作流程，一键智能聚焦扫描功能，轻松实现亚纳米精度测量，且重复性表现卓越，让精密测量触手可及。

2）超大视野 + 超高精度：搭载 0.6 倍镜头，拥有 15mm 单幅超大视野，结合 0.1nm 级测量精度，既能满足纳米级微观结构的精细检测，又能无缝完成 8 寸晶圆 FULL MAPPING 扫描，实现大视野与高精度的完美融合。

3）动态测量新维度：可集成多普勒激光测振系统，打破静态测量边界，实现 “动态” 3D 轮廓测量，为复杂工况下的测量需求提供全新解决方案。

实测验证硬核实力

1）硅片表面粗糙度检测：凭借优于 1nm 的超高分辨率，精准捕捉硅片表面微观起伏，实测粗糙度 Ra 值低至 0.7nm，为半导体制造品质把控提供可靠数据支撑。

（以上数据为新启航实测结果）

有机油膜厚度扫描：毫米级超大视野，轻松覆盖 5nm 级有机油膜，实现全区域高精度厚度检测，助力润滑材料研发与质量检测。

高深宽比结构测量：面对深蚀刻工艺形成的深槽结构，展现强大测量能力，精准获取槽深、槽宽数据，解决行业测量难题。

分层膜厚无损检测：采用非接触、非破坏测量方式，对多层薄膜进行 3D 形貌重构，精准分析各层膜厚分布，为薄膜材料研究提供无损检测新方案。

新启航半导体，专业提供综合光学3D测量解决方案！