在先进三维封装工艺中，晶圆键合面（Wafer Bonding Surface）微观形貌是决定键合良率、器件长期可靠性的核心因素，表面粗糙度（Surface Roughness）为键合前关键质量控制指标。晶圆直接键合工艺对键合面提出亚纳米级超光滑要求，若表面粗糙度超标、存在局部凸起、微凹坑、抛光残留颗粒等问题，会诱发键合空洞（Bonding Void）、界面分层等缺陷，降低界面结合强度，最终导致器件电学性能失效。
白光干涉仪（White Light Interferometer，WLI）是行业主流非接触式三维形貌检测设备，严格遵循ISO 25178形貌检测国际规范，纵向检测分辨率可达0.1nm，可精准量化算术平均粗糙度Sa、均方根粗糙度Sq等面粗糙度核心参数，同时有效识别微划痕、局部形变、化学机械抛光（CMP）工艺引发的铜凹陷（Cu Dishing）等微观表面异常。
相较于原子力显微镜（Atomic Force Microscope，AFM）接触式检测设备，白光干涉仪（WLI）具备超大检测视场优势，可实现大面积晶圆表面快速扫描，兼顾纳米级检测精度与量产检测吞吐量，同时彻底规避接触式检测对超光滑键合表面造成的划伤风险，更适配半导体量产质控场景。
在缺陷防控（Defect Prevention and Control）体系中，白光干涉仪（WLI）可实现键合前工序闭环质量管控：针对CMP抛光后的晶圆键合面开展高精度形貌检测，依托实测数据反馈抛光压力、耗材损耗等工艺偏差，精准筛选粗糙度超标不良晶圆，从源头管控键合空洞、界面脱层等质量问题，为混合键合（Hybrid Bonding）、晶圆直接键合等高端封装工艺提供可量化、可溯源的工艺优化依据。
晶圆表面粗糙度专项分析（核心检测指标）
（图示为CMP抛光后实测数据，检测精度可达6pm（0.006nm），满足晶圆超光滑表面（Ultra-Smooth Surface）检测标准，适配高端芯片晶圆精密检测场景）
（图示为CMP抛光后实测数据，表面粗糙度Ra=0.96nm，可精准表征晶圆抛光后表面光滑度，支撑抛光工艺优化（Polishing Process Optimization），持续提升晶圆表面加工质量）
（图示为晶圆背面表面粗糙度实测数据，Ra=0.9μm，适配晶圆背面加工质量检测场景，保障晶圆背面金属化（Metallization）工艺稳定性，为后续键合（Bonding）工序筑牢质量基础）
大视野3D白光干涉仪
大视野3D白光干涉仪依托核心创新技术，突破传统晶圆检测设备局限，构建半导体（Semiconductor）晶圆精密测量（Precision Measurement）新范式。设备可一机实现纳米级（Nanoscale）全场景形貌测量，兼具超高检测精度与量产检测效率，覆盖晶圆加工、封装全流程质控需求，为半导体产业精密检测提供权威、可溯源的数据支撑。
核心优势：大视野+高精度，打破半导体检测行业壁垒
设备解决传统检测设备痛点：传统1倍以下物镜（Objective Lens）仅支持单孔检测，需搭配两台设备分别完成大视野观测与高精度测量。本设备搭载0.6倍轻量化专用镜头，配备15mm超大单幅视野（Single Frame Field of View），兼容4物镜转塔鼻轮（Turret Nose Wheel），单台设备即可兼顾大视野全域观测、纳米级精准测量双重需求。无需频繁切换检测设备，大幅提升量产检测效率（Inspection Efficiency）与数据精准度（Data Accuracy），高度适配半导体规模化量产质控场景。
晶圆相关实测应用图示及说明（半导体专属）
（图示为化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）研磨碟盘表面金刚石颗粒共面度（Coplanarity）分析：左侧为微观放大细节图，右侧为全域共面度分析图，直观呈现设备大视野3D形貌测量能力，支撑研磨碟盘质量管控（Quality Control），保障晶圆整体抛光均匀性）
（图示为裸片晶圆（Bare Wafer）翘曲（BOW）、弯曲（WARP）等形变（Deformation）测量，可精准采集晶圆形变核心数据，严控晶圆加工、封装（Packaging）精度，有效规避封装阶段芯片破损、虚焊等不良问题）
新启航半导体｜专业白光干涉 3D 轮廓测量方案。亚纳米精度保障，支持自动化定制；高端系列对标国际一线品牌，大视野设计，轻松应对高低反射、复杂材料测量场景。
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