该机型隶属 Thermo Fisher（原 FEI）聚焦离子束研磨系统（FIB, Focused Ion Beam），核心搭载 Ga⁺液态金属离子源（LMIS），离子加速电压区间 0.5kV\30kV 连续可调，成像模式低束流 1pA\1nA，精密研磨高束流最高 60nA；离子束成像分辨率 7nm@30kV 工况，适配半导体晶圆截面制样、BGA 焊球剖面剖析、MEMS 器件精细剥离加工。真空系统配置干泵 + 分子泵机组，腔体极限本底真空优于 8×10⁻⁷Torr，工作真空稳定维持 1×10⁻⁶\5×10⁻⁶Torr；样品台支持 0°\90° 倾角调节、360° 面内自转，单次承载最大 6 英寸晶圆试样，搭配低温制冷基座规避离子轰击热损伤。整机集成 GIS 气体注入系统，可实现 Pt、SiO₂气相沉积补强刻蚀区域，配套原位 SEM 二次电子同步观测。

二手设备日常保养：每日开机前校验真空检漏，每周清洁离子枪隔离阀、更换分子筛吸附剂；每月校准离子束对中、样品台运动重复定位精度；每季度检测 Ga 离子源发射稳定性，清理腔体内壁溅射沉积物；闲置期间保持腔体低真空封存，杜绝水汽氧化污染镜筒光路。

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