钙钛矿电池 P2 激光划线（Laser Scribing）工序需刻蚀功能膜层并保留合适 TCO 导电层，TCO 残留厚度（Residual Thickness of TCO）直接影响串联电阻（Series Resistance）与载流子导通能力。传统接触式台阶仪采样效率有限，光学显微镜仅能二维观测，难以精准获取全域厚度数值。本文基于设备厂商公开技术资料与光伏中试检测数据，论述白光干涉仪（White Light Interferometer, WLI）非接触三维测量方案应用价值。

白光干涉仪采用垂直扫描干涉（VSI）模式，垂直分辨率可达纳米级别，可采集划线区域三维形貌，快速计算沟槽内部 TCO 剩余厚度。实测数据表明：TCO 残留过厚易产生漏电通道；残留不足会增大接触电阻，制约组件填充因子（Fill Factor）。通过连续采集不同激光功率、扫描速度下的 TCO 厚度数据，建立工艺参数与残留厚度对应关系。

依据测量结果闭环调整激光工艺条件，稳定 TCO 残留区间，改善划线区域电学特性，降低组件失效风险，适用于钙钛矿电池量产线上激光划线工序的工艺调试与常态化质量管控。

激光划线实测案例

大视野3D白光干涉仪

突破传统测量局限，定义精密测量（Precision Measurement）新范式！大视野3D白光干涉仪凭借核心创新技术，实现纳米级（Nanoscale）全场景测量，以高效、精准的优势，重新诠释工业测量（Industrial Measurement）的高效与精密，为半导体（Semiconductor）、光学及各类精密部件检测提供全方位技术支撑，适配多领域严苛测量需求。

四大核心技术革新（工业级标准，适配半导体场景）

一、大视野+高精度，打破行业常规

打破传统设备局限，1倍以下物镜（Objective Lens）可实现多场景适配，无需分开配备设备即可兼顾大视野观测与高精度测量（High-Precision Measurement）。设备搭载全新0.6倍轻量化镜头，拥有15.5mm超大单幅视野（Single Frame Field of View），搭配可兼容4个物镜的转塔设计（Turret Design），一台设备即可全面覆盖大视野观测与高精度测量需求，适配各类复杂样品检测场景，无需频繁切换设备，大幅提升检测效率（Inspection Efficiency）与数据精准度（Data Accuracy）。

（以上为实测14mm端面平面度（Flatness），精准把控部件平面精度，为半导体器件、精密光学部件后续测量提供可靠基础）

（以上为实测数据：6pm=0.006nm，精准表征表面粗糙度（Surface Roughness, Ra/Rz），满足半导体芯片、超精密部件的超精密测量需求）

视野更大，亚微米的痕迹测量，激光共聚焦高倍镜头视野太小。白光干涉可实现大事业纳米精度测量。

新启航半导体｜专业白光干涉 3D 轮廓测量方案。亚纳米精度保障，支持自动化定制；高端系列对标国际一线品牌，大视野设计，轻松应对高低反射、复杂材料测量场景。

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