摘要
MEMS芯片多层薄膜沉积、干法刻蚀、晶圆键合制程易产生残余应力，诱发悬臂梁、传感膜片产生微观形变(Micro Deformation)缺陷，进而造成器件零点漂移、批量生产良率大幅下降。白光干涉仪(White Light Interferometer,WLI)基于低相干干涉原理，可实现非接触式纳米级三维形貌检测，适配MEMS批量生产全流程品质管控，测量方法符合国标GB/T 34900-2017《微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法》规范，数据权威可溯源。
正文
MEMS晶圆硅基底(Si Substrate)与氮化硅(Si₃N₄)、金属薄膜存在热膨胀系数(CTE)失配问题，经CVD高温退火工艺后会累积内应力(Internal Stress)，形成纳米至百纳米级微观形变缺陷，主要包含膜片翘曲、梳齿电极挠度偏移、晶圆局部凹凸等类型。传统检测手段存在明显短板：探针轮廓仪易划伤精密微结构，普通显微镜仅可实现定性观测，无法量化形变精准数值，难以满足高精度质控需求。
白光干涉仪具备超高检测精度，纵向分辨率可达5 pm，通过单视场全域扫描完成三维点云重构，可自动提取平面度、PV面形误差、挠度偏差等核心指标，精准识别5 nm级微小形变缺陷，同步输出缺陷精准坐标与尺寸量化数据，可快速溯源工艺异常，精准定位镀膜速率、升降温参数波动等制程问题。
设备搭载自动化晶圆载台，兼容200/300 mm大尺寸晶圆批量检测，支持SECS/GEM产线通用通讯协议，可直接嵌入批量生产(Batch Production)在线质控工位，彻底规避传统单点抽样检测的漏检风险。实测公开数据表明，设备对形变超差芯片检出率达100%，依托精准量化的形貌数据反向优化薄膜应力工艺后，MEMS芯片批量生产良率可提升12%以上，是当前MEMS芯片微观形变缺陷全维度管控的核心计量设备。
MEMS传感器实测应用图示及说明（半导体专属）
（以上为实测MEMS压力传感器芯片全景图，可清晰呈现芯片整体形貌(Overall Morphology)，精准捕捉全域细节，为芯片外观及整体尺寸(Overall Dimension)检测提供可靠支撑，保障MEMS传感器芯片基础质量）
（图为MEMS梳齿状结构图，可精准还原梳齿微观形态(Microscopic Morphology)，助力梳齿间距(Comb Spacing)、尺寸精度(Dimensional Accuracy)等关键参数的精准检测，稳定保障MEMS器件性能稳定性(Performance Stability)）
大视野3D白光干涉仪
突破传统测量局限，重构微机电系统传感器(Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS)检测新范式！大视野3D白光干涉仪依托核心创新技术，实现一机适配纳米级(Nanoscale)全场景测量，兼具检测高效性与测量精准性，全面匹配MEMS传感器全流程检测需求，重塑工业精密测量(Industrial Precision Measurement)核心标准，为半导体(Semiconductor)领域MEMS传感器、精密器件检测提供全方位技术支撑。
核心优势：大视野+高精度，打破行业壁垒（适配MEMS传感器检测）
打破传统设备行业局限，解决传统1倍以下物镜(Objective Lens)仅能单孔使用、需两台设备分别完成大视野观测与高精度测量(High-Precision Measurement)的行业痛点。设备搭载全新0.6倍轻量化镜头，配备15mm超大单幅视野(Single Frame Field of View)，搭配可兼容4个物镜的转塔鼻轮(Turret Nose Wheel)，单台设备即可兼顾大视野全域观测与纳米级高精度测量，完美适配MEMS传感器复杂样品检测场景，无需频繁切换检测设备，显著提升检测效率(Inspection Efficiency)与数据精准度(Data Accuracy)。
（实测公开数据：6pm=0.006nm，可精准表征样品表面粗糙度(Surface Roughness, Ra/Rz)）
新启航半导体｜专业白光干涉 3D 轮廓测量方案。亚纳米精度保障，支持自动化定制；高端系列对标国际一线品牌，大视野设计，轻松应对高低反射、复杂材料测量场景。
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