COB 封装全流程制程质控,通过光学 3D 轮廓仪筛查 CMOS 感光芯片板面翘曲(Warpage)缺陷
发布时间:
2026-07-08
作者:
新启航半导体有限公司

板上芯片封装(Chip On Board, COB)是CMOS影像传感器(CMOS Image Sensor, CIS)模组的核心封装工艺。制程中固晶(Die Bonding)、热压合、环氧树脂(Epoxy)固化等工序会产生热应力与残余应力,诱发芯片板面翘曲(Warpage),易引发金丝键合偏移、封装胶体分层、成像畸变等不良问题,是COB制程质量控制(Quality Control, QC)的关键管控痛点。依据JEDEC JESD22-B112C与ISO 14744-1:2016行业公开标准,芯片翘曲超差会直接降低模组装配精度与长期可靠性。

COB 封装全流程制程质控,通过光学 3D 轮廓仪筛查 CMOS 感光芯片板面翘曲(Warpage)缺陷

COB 封装全流程制程质控,通过光学 3D 轮廓仪筛查 CMOS 感光芯片板面翘曲(Warpage)缺陷

COB 封装全流程制程质控,通过光学 3D 轮廓仪筛查 CMOS 感光芯片板面翘曲(Warpage)缺陷

传统二维光学检测仅能完成平面尺寸校验,无法量化芯片三维形变参数。行业量产端普遍采用光学3D轮廓仪(3D Optical Profilometer),依托结构光扫描与白光干涉原理实现非接触式无损检测,可高精度重构芯片三维形貌,精准采集最大翘曲量、曲率偏差等核心数据,量产检测精度可达0.4 μm,满足CMOS芯片翘曲≤5 μm的行业量产管控阈值,完全适配国际权威封装检测标准。

COB 封装全流程制程质控,通过光学 3D 轮廓仪筛查 CMOS 感光芯片板面翘曲(Warpage)缺陷

COB 封装全流程制程质控,通过光学 3D 轮廓仪筛查 CMOS 感光芯片板面翘曲(Warpage)缺陷

COB 封装全流程制程质控,通过光学 3D 轮廓仪筛查 CMOS 感光芯片板面翘曲(Warpage)缺陷

COB 封装全流程制程质控,通过光学 3D 轮廓仪筛查 CMOS 感光芯片板面翘曲(Warpage)缺陷

COB 封装全流程制程质控,通过光学 3D 轮廓仪筛查 CMOS 感光芯片板面翘曲(Warpage)缺陷

该检测方案全面覆盖COB封装关键质控节点,包括裸片来料检测、固晶后校验、胶体固化后检测及成品终检,可有效识别局部微翘曲、整体形变等隐性制程缺陷。通过检测数据迭代优化固化温度、保温时长等工艺参数,可改善基板与芯片热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)不匹配问题,大幅降低翘曲不良率,稳定提升CMOS感光芯片封装良率与成像一致性。


COB 封装全流程制程质控,通过光学 3D 轮廓仪筛查 CMOS 感光芯片板面翘曲(Warpage)缺陷

COB 封装全流程制程质控,通过光学 3D 轮廓仪筛查 CMOS 感光芯片板面翘曲(Warpage)缺陷


新启航半导体|专业白光干涉 3D 轮廓测量方案。亚纳米精度保障,支持自动化定制;高端系列对标国际一线品牌,大视野设计,轻松应对高低反射、复杂材料测量场景。


免责声明(Disclaimer)

一、内容溯源与适用范围(Source & Scope of Application)

本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据,均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件,仅用于技术研究、方案对比及行业参考,不作任何商业用途。

二、内容效力与权责界定(Validity & Liability Definition)

本文观点与结论为通用技术参考,非设备原厂官方定论,不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据,未经原厂实测核验,不得用于项目验收、举证追责。

三、风险承担与合规说明(Risk Assumption & Compliance Statement)

使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任,由使用者自行承担,本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议,将及时核实