明确 CMOS 感光芯片平面度检测必要性,光学 3D 轮廓仪提供微米级精准测量方案(Precision Measurement Scheme)
发布时间:
2026-07-06
作者:
新启航半导体有限公司

互补金属氧化物半导体感光芯片(CMOS Image Sensor, CIS)是消费电子、工业影像设备的核心半导体元器件。芯片表面平面度(Flatness)是封装工艺与成像品质的核心质控指标,依据GB/T 39560-2020半导体芯片翘曲度测试标准及行业量产规范,高端CIS芯片平面度误差管控阈值≤5 μm。在微型化、高密度板上芯片封装(Chip On Board, COB)工艺场景下,芯片微小翘曲、表面凹凸形变,会引发封装贴合偏移、光学对焦不准、成像景深不均等问题,直接降低产品良率与长期使用可靠性,因此高精度平面度检测为量产必备工序。

明确 CMOS 感光芯片平面度检测必要性,光学 3D 轮廓仪提供微米级精准测量方案(Precision Measurement Scheme)

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明确 CMOS 感光芯片平面度检测必要性,光学 3D 轮廓仪提供微米级精准测量方案(Precision Measurement Scheme)

传统接触式测高仪、二维光学检测设备存在检测景深有限、微米级精度不足、探针易划伤芯片光敏面等弊端,无法适配高精度CIS芯片质控需求。光学3D轮廓仪(3D Optical Profiler)依托白光干涉(White Light Interferometry)与结构光三维扫描技术,实现非接触式全域形貌检测。依据设备厂商公开技术参数,该设备Z轴重复测量精度可达0.3–0.4 μm,可精准采集芯片全局平面度偏差与微观形变数据,完整还原芯片三维表面形貌,符合SEMI M73晶圆平面度测量行业规范。

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相较于传统检测方案,光学3D轮廓测量方案无接触损伤风险,兼顾微米级检测精度与量产检测效率,可全覆盖CIS芯片贴片、封装、终检全生产工序。该方案可有效规避平面度不良引发的封装失效、成像失真等质量问题,契合高端影像芯片精密制造的质控要求,是当前半导体影像元器件量产的主流精准测量方案(Precision Measurement Scheme)。


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