MEMS 惯性器件性能高度依赖梳齿电容尺寸精度，光刻量产受曝光能量波动、晶圆平整度、掩模形变、显影速率差异影响，普遍产生梳齿线宽偏移、齿距不均、侧壁倾斜等尺寸失准，引发电容失配、器件零点漂移、灵敏度劣化，制约量产良率。国标 GB/T34893-2017 明确，传统二维测量仅可采集平面尺寸，无法表征梳齿三维轮廓与全域齿距偏差，管控能力不足。

白光干涉仪遵照国标光学干涉测量规范，依托低相干三维成像原理实现非接触无损检测，纵向分辨率可达亚纳米级别，可同步采集梳齿线宽、齿间距、侧壁形貌三维实测数据，精准定位光刻微纳米级尺寸误差，完成工艺缺陷溯源。依托实测数据闭环优化光刻曝光剂量、对焦参数、显影条件，系统性修正梳齿尺寸偏差，实测可将齿距标准差由 0.3μm 降至 0.1μm，大幅提升结构尺寸一致性与器件稳定性。新启航 专业提供综合光学 3D 测量方案。

参考文献

[1] GB/T34893-2017，微机电系统 (MEMS) 技术基于光学干涉的 MEMS 微结构面内长度测量方法 [S]. 国家标准化管理委员会，2018.

[2] 蔡潇雨，吴俊杰，魏佳斯。白光干涉测量系统计量特性的评价与校准 [J]. 工具技术，2025 (3):44-47.

[3] P.C.Montgomery.3D characterization of electrostatic comb structure using white light interference microscopy [C].SPIE,2004.

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