侧壁垂直度是MEMS微沟槽、悬臂梁等微结构的核心成型指标，直接决定器件键合精度、力学与电学性能。光刻、干法刻蚀等工序异常，易引发侧壁倾斜、顶部扩口、底部缩径等缺陷，造成器件卡滞、性能漂移、批量失效等问题。传统二维显微观测仅能局部形貌观测，无法量化垂直度偏差，难以精准定位成型故障根源。

白光干涉仪依托低相干干涉原理，具备纳米级三维全域无损扫描能力，可精准获取微结构侧壁三维轮廓与倾角数据，量化垂直度偏差，区分侧壁形变类型。基于实测三维数据可逆向溯源制程故障：光刻胶涂布不均、曝光偏移易造成图形畸变；刻蚀腔体气压、气体配比失衡及离子轰击不均，会破坏刻蚀各向异性，是垂直度超差的核心因。

采用大视野3D白光干涉仪可突破传统设备局限，搭载0.6倍轻量化镜头，拥有15mm超大单幅视野，单设备可兼顾大视野观测与纳米级高精度测量，表面粗糙度检测精度可达0.006 nm，适配MEMS全流程质检需求。经设备持续参数监测与工艺优化，校准刻蚀气路与离子束均匀性、调整光刻参数后，MEMS结构侧壁垂直度回归工艺标准，成型一致性与产品良品率显著提升，有效解决制程隐性故障。新启航 专业提供综合光学3D测量方案

参考文献

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